7 月 6 日消息 據科技日報報道，6 月 20 日云南大學材料與能源學院透露：該學院的楊鵬、萬艷芬團隊，突破了硫化鉑材料瓶頸，解決了類石墨烯材料大面積均勻少層硫化鉑的合成及其結構和物理性能的一系列問題。
云南大學副教授楊鵬介紹，石墨烯(碳基第三代半導體材料)作為典型的二維納米材料，具備化學、光、電、機械等一系列優良的特性而得到廣泛應用，但石墨烯存在零帶隙、光吸收率低等缺點，限制其更廣泛地應用。與此同時，類石墨烯材料應運而生。作為類石墨烯材料的典型代表，過渡金屬硫族化合物不僅具備類似石墨烯的范德華力結合的層狀結構，還擁有優異的光、電、磁等性能，可更好地彌補石墨烯的缺點，大大拓寬了半導體材料的實際應用范圍。
當今二維材料共同面對的比如材料面積不大、不易轉移等問題對半導體產業的發展形成了一定的影響。針對這些難題，云南大學材料與能源學院、云南省微納材料與技術重點實驗室楊鵬、萬艷芬團隊通過物理氣相沉積和化學氣相沉積相結合的方式，在合適的溫度、壓強等條件下，實現制備平方厘米級大面積少層、均勻的硫化鉑材料，并表征了相關物理特性，為硫化鉑在日后的投產、商用提供了便利。
值得一提的是，與臺積電在 1 納米測試中試用的半金屬鉍元素相比，硫化鉑的成本更低、產出效率更高、實際性能更優，這讓硫化鉑成為用于延續摩爾定律的最佳候選材料之一。
據悉，這一研究成果為大面積電子器件的發展提供了新的思路與技術基礎，并為未來拓展過渡金屬硫族化合物的應用范圍提供了重要參考。IT之家了解到，相關研究成果發表在國際著名材料學術刊物《現代材料物理學》上。
云南大學成功破冰硫化鉑半導體材料，為國產集成電路、光電子等半導體產業開辟更寬廣的應用器件開發提供了支持，有望成為我國在芯片代工領域中持平國外半導體技術的關鍵材料。
