2021年初便有媒體報(bào)道稱(chēng)蘋(píng)果將在今年推出氮化鎵快充充電器。就在近期，業(yè)界也有越來(lái)越多的聲音指出，30W GaN快充將成為蘋(píng)果入局氮化鎵快充的首款作品。
據(jù)了解，目前業(yè)內(nèi)已有多家廠(chǎng)商開(kāi)始提前布局該條產(chǎn)品線(xiàn)。
作為全球領(lǐng)先的氮化鎵IDM企業(yè)，英諾賽科也在該功率段重點(diǎn)發(fā)力，帶來(lái)了讓人眼前一亮的產(chǎn)品。
英諾賽科發(fā)布33W氮化鎵快充
在剛剛結(jié)束的「2021(春季)USB PD&Type-C亞洲展」上，英諾賽科副總經(jīng)理陳鈺林先生為大家?guī)?lái)了《Inno GaN 引領(lǐng)“芯”未來(lái)》主題演講，并發(fā)布了英諾賽科的2021年度重點(diǎn)產(chǎn)品：33W氮化鎵快充。
據(jù)陳鈺林先生分析，蘋(píng)果公司目前已經(jīng)在布局氮化鎵快充，30W則極有可能成為蘋(píng)果首款氮化鎵產(chǎn)品。
為了迎接蘋(píng)果30W氮化鎵快充帶來(lái)的下一個(gè)市場(chǎng)風(fēng)口，英諾賽科專(zhuān)門(mén)推出了InnoGaN系列第二代新品INN650DA04，并基于該新品開(kāi)發(fā)出一款尺寸僅蘋(píng)果5W充電器大小的33W超迷你氮化鎵快充參考設(shè)計(jì)。
外型小巧是該方案的一大特色，其內(nèi)部電路設(shè)計(jì)更是十分精簡(jiǎn)，通過(guò)圖片可見(jiàn)，該方案僅僅只用兩塊PCB板就實(shí)現(xiàn)了全部功能，讓人眼前一亮。并且完全實(shí)現(xiàn)了核心技術(shù)的自主可控，供貨穩(wěn)定。
值得一提的是，這款參考設(shè)計(jì)不僅滿(mǎn)足最大33W快充輸出，而且在溫升和EMI等方面也已符合安規(guī)要求，解決了快充電源廠(chǎng)商在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中的兩大難點(diǎn)，可以幫助客戶(hù)加速產(chǎn)品量產(chǎn)，搶占市場(chǎng)。
33W快充專(zhuān)用InnoGaN快速上量
雖然距離蘋(píng)果2021年新品發(fā)布會(huì)還有半年之久，但其即將推出30W氮化鎵快充的消息已經(jīng)不脛而走，尤其是近期在業(yè)界廣為流傳，多家快充芯片、快充變壓器、快充電源廠(chǎng)商及方案商紛紛表示，正在積極地著手布局30W快充產(chǎn)品線(xiàn)。
30W氮化鎵快充更是有望在蘋(píng)果的帶動(dòng)下，成為20W快充市場(chǎng)的繼承者，前景可觀(guān)。
不過(guò)由于功率的提升，傳統(tǒng)的內(nèi)置MOS電源芯片方案大都無(wú)法滿(mǎn)足應(yīng)用需求，分立器件方案成為首選。
但如果選用傳統(tǒng)的硅MOS作為主開(kāi)關(guān)管需要面臨著兩大難題，一是效率較低發(fā)熱較大，無(wú)法實(shí)現(xiàn)緊湊的設(shè)計(jì);二是自2020年下半年以來(lái)，受到缺貨風(fēng)波的持續(xù)影響，功率半導(dǎo)體的價(jià)格以及供貨也變得十分不穩(wěn)定。
作為一家全球領(lǐng)先的氮化鎵IDM企業(yè)，英諾賽科自建有技術(shù)領(lǐng)先8英寸增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率器件量產(chǎn)線(xiàn)，涵蓋30V到650V全電壓產(chǎn)品;其蘇州FaB基地也將于今年6月通線(xiàn)投產(chǎn)，滿(mǎn)產(chǎn)后將實(shí)現(xiàn)月產(chǎn)8英寸硅基氮化鎵晶圓65000片。
英諾賽科第二代InnoGaN產(chǎn)品INN650DA04的推出，將在一定程度上緩解了快充產(chǎn)業(yè)鏈緊張的供求關(guān)系。此外英諾賽科對(duì)該新品采取了戰(zhàn)略性定價(jià)，十分具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。
英諾賽科透露，INN650DA04一經(jīng)推出便獲得眾多電源廠(chǎng)商青睞，目前累計(jì)訂單已經(jīng)突破2kk，并不斷有新客戶(hù)陸續(xù)下單。
蘋(píng)果30W氮化鎵快充一旦面世，預(yù)計(jì)該款氮化鎵器件的每月訂單量將直奔5kk，成為2021年下半年功率器件領(lǐng)域的現(xiàn)象級(jí)爆款。
InnoGaN優(yōu)勢(shì)分析
充電頭網(wǎng)了解到，英諾賽科InnoGaN系列第二代新品INN650DA04具備高頻高效、極低損耗、快速主動(dòng)散熱等特點(diǎn)，同時(shí)采用DFN5*6進(jìn)行封裝，有助于電源工程師實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品的高效率和小體積。
效率方面，英諾賽科33W氮化鎵快充方案無(wú)論是在90ac、115Vac輸入還是230Vac、264Vac輸入，其效率均在92%以上，相比目前市面上主流的20W硅方案，效率提升3個(gè)百分點(diǎn)。高效率帶來(lái)的低發(fā)熱，為實(shí)現(xiàn)小體積、高功率密度產(chǎn)品設(shè)計(jì)保駕護(hù)航。
得益于InnoGaN的高效率特性，實(shí)際應(yīng)用中可以省掉散熱片，從而實(shí)現(xiàn)小尺寸的緊湊型氮化鎵快充方案。目前英諾賽科33W氮化鎵快充方案在體積方面已有了巨大突破，PCB尺寸僅為26mm*26mm*26mm，功率密度可達(dá)1.88W/cm?，相當(dāng)于蘋(píng)果現(xiàn)有20W硅MOS快充方案的2倍以上。
總結(jié)
最近行業(yè)中流傳著這樣一句話(huà)：上半年看20W，下半年看30W。
看似簡(jiǎn)單的幾個(gè)字卻透露出快充電源行業(yè)的市場(chǎng)趨勢(shì)，不過(guò)相比20W快充而言，30W快充在小型化、溫度、安規(guī)等方面的挑戰(zhàn)更大，也對(duì)快充電源工程師提出了更高的要求。
針對(duì)這一行業(yè)痛點(diǎn)，英諾賽科開(kāi)始發(fā)力，憑借全球首條8英寸增強(qiáng)型硅基氮化鎵功率器件量產(chǎn)線(xiàn)及先進(jìn)的研發(fā)品控分析能力，InnoGaN系列在整體性能、成本、產(chǎn)能等方面均得到很好的把控。
英諾賽科InnoGaN不僅在實(shí)現(xiàn)高效率和小尺寸方面明顯優(yōu)于傳統(tǒng)硅MOS方案，而且在價(jià)格方面也具有極大優(yōu)勢(shì)，并有供貨穩(wěn)定的特點(diǎn)。搭配簡(jiǎn)潔的設(shè)計(jì)和布局，輕松實(shí)現(xiàn)33W迷你氮化鎵快充產(chǎn)品的開(kāi)發(fā)，并大幅降低了系統(tǒng)成本與生產(chǎn)成本，可謂是性?xún)r(jià)比超高。
如果說(shuō)20W快充是內(nèi)置MOS電源芯片的主場(chǎng)，那么未來(lái)的30W氮化鎵快充市場(chǎng)必將成為InnoGaN大顯身手的舞臺(tái)，值得期待!
