2019年國內的合肥長鑫推出了國產DDR4內存，結束了國內沒有DRAM芯片自產的日子，此后也有其他公司準備進軍內存市場，比如兆易創新。該公司日前透露了其內存計劃，2021年上半年將推出4Gb DDR3內存。

兆易創新在電話會議中透露，自研DRAM現在還在按照原計劃進行，目前研發進度跟預期基本一樣，預期明年上半年會有產品出來。

兆易創新表示，自研第一個產品會是DDR3, 4Gb，面向利基市場。

2021年還在研發DDR3內存?別急，雖然明年DDR3內存已經不是什么新東西了，DDR5都要上市了，但DDR3還不會被淘汰，而且兆易創新主要是用于利基市場，也就是消費電子產品，對內存的性能、容量等要求不高。

考慮到兆易創新的主力產品，比如NOR閃存、MCU主控等等都是面向嵌入式、消費電子等市場的，其首款內存主打這一市場也不讓人意外。

即便是DDR3內存，對任何沒有內存研發、設計經驗的公司來說，技術門檻還是很高的，兆易創新選擇看似落后但比較穩妥的研發路線也沒什么可說的。

去年底，兆易創新宣布募資33.2億元研發內存，這點錢并不算多，所以研發DDR3內存情有可原。

他們還公布了內存研發的路線圖，如下所示：

·2020年，兆易創新將啟動首款DRAM芯片產品定義，包括市場定位、產品規格及芯片設計工藝。

·2020年，兆易創新將定義首款芯片的生產職稱，并將經過驗證后的設計開展流片試樣，反復修改直至通過系統驗證。

·2021年，對首款芯片試樣進行封裝測試，并送交系統芯片商進行功能認證，并最終通過客戶驗證。

·2021年，首款芯片通過驗證之后進行小批量生產，測試成功后進行大批量生產。

·2022-2025年，進行新系列芯片研發及量產。

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