6 月 10 日消息 據中國科學院網站，近日，中國科學院上海光學精密機械研究所信息光學與光電技術實驗室提出一種基于虛擬邊(Virtual Edge)與雙采樣率像素化掩模圖形(Mask pixelation with two-phase sampling)的快速光學鄰近效應修正技術(Optical proximity correction, OPC)，仿真結果表明該技術具有較高的修正效率。
據介紹，OPC 技術通過調整掩模圖形的透過率分布修正光學鄰近效應，從而提高成像質量。基于模型的 OPC 技術是實現 90nm 及以下技術節點集成電路制造的關鍵計算光刻技術之一。
上海光機所科研人員提出的這種基于虛擬邊與雙采樣率像素化掩模圖形的快速光學鄰近效應修正技術，能夠將不同類型的成像失真歸結為兩種類型的成像異常，即內縮異常與外擴異常。利用不同的成像異常檢測模板，依次在掩模圖形的邊緣和拐角等輪廓偏移判斷位置進行局部成像異常檢測，確定異常類型及異常區域的范圍。根據異常檢測位置與異常區域范圍，自適應產生虛擬邊。通過移動虛擬邊調整掩模的局部透過率分布，從而修正局部成像異常。借助修正策略和修正約束，實現高效的局部修正和全局輪廓保真度控制。另外，雙采樣率像素化掩模充分利用了成像系統的衍射受限屬性，在粗采樣網格上進行成像計算與異常檢測，在精采樣網格上進行掩模修正，兼顧了成像計算效率與掩模修正分辨率。利用多種掩模圖形進行驗證，仿真結果表明該 OPC 技術的修正效率優于常用的基于啟發式算法的 OPC 技術。
IT之家了解到，相關研究成果發表在 Optics Express 上。
