2020 年 5 月 31 日，美國太空計劃創造了歷史，SpaceX DM-2 龍飛船(Crew Dragon)上的 NASA 宇航員羅伯特 · 本肯(Robert Behnken)和格拉斯 · 赫利(Douglas Hurley)抵達國際空間站(ISS)，這是商業航天器首次將宇航員運送到國際空間站。

國際空間站是企業、政府和大學的研究實驗室。一段時間以來，國際空間站的宇航員已在該實驗室為各個組織進行了大量創新實驗。

例如，最近在國際空間站上進行了世界上第一個基于 EUV 的光刻實驗，可能為太空高級芯片的制造奠定基礎。

2019 年 11 月 2 日，諾斯羅普 · 格魯曼公司的天鵝座(Cygnus)飛船從弗吉尼亞州的瓦羅普斯飛行研究所 (Wallops Flight Facility)發射升空。航天器攜帶來自 Astrileux( 一家為制造 7nm 以下集成電路提供光學技術的公司)的有效載荷進入國際空間站。有效載荷是由太空科學發展中心(CASIS)和納米機架合作進行的此外，該航天器還載有 20 多種其他有效載荷。

去年 11 月，國際空間站的宇航員利用來自 Astrileux 的有效載荷，在國際空間站的外部平臺上進行了光刻實驗。實驗圍繞 Astrileux 的新 EUV 光學鍍膜技術進行，目的是確定是否有可能使用 Astrileux 的 EUV 涂層捕獲太陽 EUV 輻射。這些材料構成了波長為 13.5nm 的 EUV 光刻工具的光學器件和反射鏡的基礎。

實驗證明，能用 Astrileux 的 EUV 涂層捕獲太陽 EUV 輻射。有朝一日，來自 Astrileux 的材料能夠成為一類新型的太空儀器。它還為未來基于 EUV 的空間光刻技術奠定了基礎，該技術使用太陽輻射的能量作為光源。

國際空間站最初于 2000 年投入使用，它是一個模塊化的太空實驗室，是美國、俄羅斯、日本、歐洲和加拿大的航空航天機構之間的合作。在國際空間站上，宇航員進行天文學、宇宙學、氣象學和物理學方面的科學實驗。

制作芯片和組件是太空中另一個有趣的話題。“實現人類在天空中長期生存這個目標，需要建造一個電子制造的生態系統，以便為國際空間站上的本地化，自我維持社區提供支持，” Astrileux 首席執行官 Supriya Jaiswal 說。“工作中的宇航員能夠根據需要快速對電子產品進行原型制作，從而在國際空間站上創造新的功能，包括增強計算能力和建造新的智能設備的能力，以及快速修復可能發生在高風險操作中的陳舊或被毀壞的電子設備。”

很難想象一個有大型 EUV 設備的工廠將在國際空間站甚至在月球或火星上建造。但是在將來，在太空中發展小型晶圓廠或微型晶圓廠是可行的。

為此，航天器或太空殖民地將需要 3D 打印機和 fab 工具，以及對晶片進行圖形化(pattern)的光刻技術。這就是需要與 Astrileux、太空科學發展中心以及納米艙(NanoRacks)合作的地方。太空科學發展中心是國際空間站的美國國家實驗室(美國政府資助的實驗室)的管理者。

納米艙這家航空航天公司在國際空間站的美國國家實驗室安裝了兩個研究平臺。根據納米艙的說法，每個平臺最多可容納 16 個立方體衛星(cubesat)外形尺寸的有效載荷。每個立方體衛星的有效載荷為一個四英寸的立方體。

為了進行實驗，Astrileux 設計了有效載荷，并合并到納米艙的立方體衛星中。立方體衛星包括 Astrileux 有效載荷的內部和外部組件。

去年 11 月，國際空間站的宇航員將 Astrileux 的有效載荷安裝在氣閘中，并自動裝載到外部平臺上，然后實驗被激活。立方體衛星的一部分暴露在陽光下，使 Astrileux 的 EUV 涂層捕獲足夠的太陽輻射。該項目研究了 EUV 材料在極端輻射環境下如何能經受住降解。

在實驗中，Astrileux 的材料成功地展示了 EUV 的波長范圍(10nm-20nm)。Jaiswal 說：“ Astrileux 創造了可以在極端輻射環境中生存的新型 EUV 光學涂層，并可以有效捕獲 13.5nm 和其他 EUV 波長的 EUV 輻射。”

鑒于這一結果，有朝一日，這些材料也會有新的應用。首先，它可以為能夠捕獲 EUV 輻射的新型空間儀器鋪平道路。Jaiswal 說：“ Astrileux 的新型 EUV 光學器件為空間探索、太陽輻射成像、望遠鏡、星系統和太空系統中使用的光學系統的新設計奠定了基礎。”

還有其他一些新的和未來的應用。“該實驗的目的是為 7nm 及以下的太空電子制造奠定基礎。” 賈伊斯瓦爾說：“ Astrileux 有效載荷在繞地球飛行時測量并捕獲 13.5nm 光刻波長下的 EUV 太陽輻射。通常，具有強大光源的 EUV 光刻工具用于以所需的晶圓產量對晶圓進行圖形化。但是，這種有效載荷可以測量并捕獲可用于對硅晶片進行構圖的自然太陽 EUV 輻射。”

傳統的 EUV 光學器件可能需要花費 100 天以上的時間來對單個晶片進行圖形化，而 Astrileux 的光學器件最終可以將圖形化時間減少到不到 10 個小時。反過來，這使得在空間中的小型社區中進行晶圓圖形化和制造成為可行的概念。

同時，在地球上，一些鑄造廠已將 EUV 光刻技術投入 7nm 和 5nm 的生產，并進行了 3nm 的研發。Astrileux 的新型 EUV 涂層也是生產工廠中 EUV 光刻掃描儀的理想選擇。

關鍵詞： EUV的光刻實驗