據德媒 computerbase 消息，三星在 Samsung Foundry Forum 2022 活動中介紹了其內存路線圖。

如上圖所示，在即將到來的 2023 年，三星將進入 1bnm 工藝階段，內存芯片容量將達到 24Gb(3GB)- 32Gb(4GB)，原生速度將在 6.4-7.2Gbps。

顯存方面，新一代 GDDR7 顯存將在明年問世，因此 AMD 和英偉達顯卡的新一代顯卡的中期改款就有可能會用上 GDDR7 顯存。

此外，三星還進行了一些長遠的設想，如2026 年推出 DDR6 內存，2027 年即實現原生 10Gbps 的速度。

三星也公布了其閃存的路線圖，預計將在 2024 年推出 V9 NAND 。

關鍵詞： 內存路線圖