繼美光后，SK海力士宣布完成了業內首款多堆棧176層4D閃存的研發，容量512Gb(64GB)，TLC。

SK海力士透露，閃存單元架構為CTF(電荷捕獲)，同時集成了PUC技術。

4D閃存是SK海力士自己的說法，此番的176層更是被稱之為第三代，每片晶圓可以切割更多有效的閃存硅片。

除了容量增加35%，閃存單元的讀取速度也提升了20%，使用加速技術可使得傳輸速度加快33%到1.6Gbps。

SK海力士預計相關產品明年年中上市，目前主控廠商已經在測試樣品，預計會在手機閃存領域首發，目標是70%的的讀速提升和35%的寫速提升，后續還會應用到消費級SSD和企業產品上。

另外，SK海力士已經表示，正在開發1Tb(128GB)容量的176層4D閃存。

顯然，今后手機可以在更緊湊的空間內做到大容量ROM空間了。

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